2 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 40 A, 表面 25 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージTISON-8
- RS品番:
- 214-8976
- メーカー型番:
- BSC0910NDIATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
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￥587,840.00
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ￥117.568 | ￥587,840 |
| 10000 - 45000 | ￥115.839 | ￥579,195 |
| 50000 - 70000 | ￥114.11 | ￥570,550 |
| 75000 - 95000 | ￥112.381 | ￥561,905 |
| 100000 + | ￥110.652 | ￥553,260 |
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- RS品番:
- 214-8976
- メーカー型番:
- BSC0910NDIATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TISON-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.87V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 6 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TISON-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.87V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 6 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、コンピューティング・アプリケーションにおいて次世代電圧レギュレーション規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。デュアル N チャンネル OptiMOS MOSFET 、IEC61249-2-21準拠のハロゲン未使用、鉛未使用めっきリード; RoHS 対応
モノリシック統合ショットキーダイオード
高性能降圧コンバータ用に最適化
100%アバランシェ試験済み