Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 165 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOG, IAUS165N08S5N029ATMA1

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梱包形態
RS品番:
214-8992
メーカー型番:
IAUS165N08S5N029ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

165A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

HSOG

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-5 MOSFET は、エネルギー効率に優れています。OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、コンピューティング・アプリケーションにおいて次世代電圧レギュレーション規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。

Infineon OptiMOS-5 MOSFET は、エネルギー効率に優れています。OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、コンピューティング・アプリケーションにおいて次世代電圧レギュレーション規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。

100 % アバランシェ試験済み

動作温度 175 ° C

100 % アバランシェ試験済み

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