Infineon パワー トランジスタ, タイプNチャンネル 135 V, 212 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOG-8, IPTG029N13NM6ATMA1

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RS品番:
349-137
メーカー型番:
IPTG029N13NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

135V

パッケージ型式

PG-HSOG-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

104nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

294W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon OptiMOS 6 パワートランジスタ（135 V）は、電力用途で高効率の性能を実現するように設計された N チャネルの通常レベル MOSFET です。非常に低いオン抵抗（RDS(on)）が特徴で、伝導損失を最小限に抑え、エネルギー効率が向上しています。優れたゲート電荷 xRDS(on) 積（FOM）により、最適なスイッチング性能を保証します。MOSFET は逆回復電荷 (Qrr) も非常に低く、スイッチング効率が向上します。さらに、信頼性を確保するために 100% アバランシェテスト済みで、175℃ での動作が可能なため、高温で過酷な環境に適しています。

モータードライブおよびバッテリー駆動用途向けに最適化

鉛フリー鉛メッキ

RoHS 準拠

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー

J-STD-020 に準拠し、MSL 1 に分類

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