Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 2.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
214-9042
メーカー型番:
IPD60R2K0C6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

CoolMOS C6

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.7nC

最大許容損失Pd

22.3W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS は、スーパージャンクション（ SJ ）原理に従って設計された、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。CoolMOS C6 シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET メーカーの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。本製品は、使いやすさを損なうことなく、高速スイッチング SJ MOSFET の利点を備えています。スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途の効率性、小型化、軽量化、冷却性がさらに向上します。

使いやすい・駆動しやすい

JEDEC 適合の産業用途に完全準拠

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