Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 7.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD65R1K0CEAUMA1

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梱包形態
RS品番:
214-9045
メーカー型番:
IPD65R1K0CEAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS CE

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15.3nC

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

高さ

2.41mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS は、スーパージャンクション（ SJ ）原理に従って設計された、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。CoolMOS CE は、最高水準の効率性を実現し、消費者市場や照明市場など、コスト重視の用途に対応できる、コストパフォーマンスが最適化されたプラットフォームです。この新シリーズは、高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETの利点を備え、使いやすさを損なうことなく、市場で入手できる最高のコストパフォーマンスを実現しています。

使いやすい ・駆動しやすい

高耐久性

標準グレードの用途に適合

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