2 Infineon MOSFET NチャンネルMOSFET, タイプNチャンネル, 50 A, 表面 25 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージ電源ブロック 5x6

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RS品番:
215-2466
メーカー型番:
BSG0811NDATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

電源ブロック 5x6

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.84V

最大ゲートソース電圧Vgs

4.5 V

最大許容損失Pd

6.25W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.4nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

NチャンネルMOSFET

長さ

5.1mm

幅

6.1 mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS ™ 5 パワーブロックは、 5.0x6.0mm ² のパッケージアウトラインに入ったリードレス SMD パッケージです。同期バックコンバータ構成のローサイド MOSFET とハイサイド MOSFET を備えています。SO8 や SuperSO8 などの 2 つの独立したパッケージを OptiMOS ™ 5 パワーブロックに置き換えることで、お客様は設計を最大 85% まで縮小できます。電源パッケージの標準化は、市場で入手可能なさまざまなパッケージ概要の数を最小限に抑えることができるため、お客様にメリットがあります。

最大平均負荷電流： 50 A

ソースダウンローサイド MOSFET で、基板の冷却が向上しています

内部接続のローサイド及びハイサイド（最小ループインダクタンス）

ハイサイドケルビン接続により、より効率的に駆動できます

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