Infineon MOSFET, Nチャンネル, NチャンネルMOSFET, 25 V, 50 A, 3 mΩ, 8.4 nC, 8ピン, パッケージ：電源ブロック 5x6
- RS品番:
- 215-2467
- メーカー型番:
- BSG0811NDATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥4,163.00
(税抜)
￥4,579.30
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 8,370 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | ￥416.30 | ￥4,163 |
| 250 - 2390 | ￥371.90 | ￥3,719 |
| 2400 - 3190 | ￥326.90 | ￥3,269 |
| 3200 - 3990 | ￥282.40 | ￥2,824 |
| 4000 + | ￥238.10 | ￥2,381 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 215-2467
- メーカー型番:
- BSG0811NDATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | 電源ブロック 5x6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.84V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 4.5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 6.25W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | NチャンネルMOSFET | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 電源ブロック 5x6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.84V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.4nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 4.5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 6.25W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 NチャンネルMOSFET | ||
規格 / 承認 JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
長さ 5.1mm | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 6.1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS ™ 5 パワーブロックは、 5.0x6.0mm ² のパッケージアウトラインに入ったリードレス SMD パッケージです。同期バックコンバータ構成のローサイド MOSFET とハイサイド MOSFET を備えています。SO8 や SuperSO8 などの 2 つの独立したパッケージを OptiMOS ™ 5 パワーブロックに置き換えることで、お客様は設計を最大 85% まで縮小できます。電源パッケージの標準化は、市場で入手可能なさまざまなパッケージ概要の数を最小限に抑えることができるため、お客様にメリットがあります。
最大平均負荷電流： 50 A
ソースダウンローサイド MOSFET で、基板の冷却が向上しています
内部接続のローサイド及びハイサイド（最小ループインダクタンス）
ハイサイドケルビン接続により、より効率的に駆動できます
関連ページ
- Infineon MOSFET NチャンネルMOSFET 50 A 8.4 nC パッケージ：電源ブロック 5x6
- Infineon MOSFET 25 V 8.4 nC パッケージ：TISON-8
- Infineon MOSFET 25 V 4.8 mΩ パッケージ：PG-TISON-8.
- Infineon MOSFET 60 V 15.5 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon パワーMOSFET 40 V 7.6 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON-8-4
- Infineon PG-TISON-8. IGBT 40 A, 8ピン
- Infineon MOSFET デュアル N チャンネル MOSFET 5.1 A 29 nC パッケージ：SO-8
- Infineon MOSFET 100 A 8 ピン, IRFH5250DTRPBF