Infineon MOSFET, Nチャンネル, NチャンネルMOSFET, 25 V, 50 A, 3 mΩ, 8.4 nC, 8ピン, パッケージ：電源ブロック 5x6
- RS品番:
- 215-2467
- メーカー型番:
- BSG0811NDATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2467
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- BSG0811NDATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | 電源ブロック 5x6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 4.5V | |
| 順方向電圧 Vf | 840mV | |
| 最大許容損失Pd | 6.25W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | NチャンネルMOSFET | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 電源ブロック 5x6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 4.5V | ||
順方向電圧 Vf 840mV | ||
最大許容損失Pd 6.25W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.4nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 NチャンネルMOSFET | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 6.1mm | ||
規格 / 承認 JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
長さ 5.1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 25V、最大連続ドレイン電流 50A - BSG0811NDATMA1
このMOSFETは、小型電源設計における大電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。エンハンスメントモードのNチャンネルトポロジで動作し、1つのチップに2つの素子を搭載してデュアルスイッチ機能を実現します。このデバイスは、低電圧環境でロジックレベルゲートと低オン抵抗が求められる用途に適しており、高密度基板レイアウト向けのPower Block 5x6パッケージで提供されます。
特長：
• 3mΩ の超低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大連続ドレイン電流 50A により、大電流の要求に対応
• Vgs上限 4.5V のロジックレベルゲートにより、直接駆動に対応
• 標準ゲート電荷Qg 8.4nC により、高速なゲート遷移が可能
• 許容電力定格 6.25W により、効果的な熱処理が可能
• 動作温度範囲 -55°C～150°C により、広い使用温度範囲に対応
• 最大連続ドレイン電流 50A により、大電流の要求に対応
• Vgs上限 4.5V のロジックレベルゲートにより、直接駆動に対応
• 標準ゲート電荷Qg 8.4nC により、高速なゲート遷移が可能
• 許容電力定格 6.25W により、効果的な熱処理が可能
• 動作温度範囲 -55°C～150°C により、広い使用温度範囲に対応
用途
• 電源の同期降圧コンバータに適合
• サーバーVRMおよび大電流DC-DCモジュールに最適
• 低電圧システムのバッテリ管理回路に使用
• 小型コントローラのモータードライバ段に使用可能
• 高効率の配電およびロードスイッチングに適合
• サーバーVRMおよび大電流DC-DCモジュールに最適
• 低電圧システムのバッテリ管理回路に使用
• 小型コントローラのモータードライバ段に使用可能
• 高効率の配電およびロードスイッチングに適合
プリント基板設計時には、どのような熱的制限を考慮すべきですか？
このデバイスはジャンクション温度最高 150°C で動作し、最大 6.25W を放散します。
熱を管理するため、サーマルビアと十分な銅箔面積を確保することを推奨します。
デュアル素子構造はレイアウトの選択にどのような影響を与えますか？
チップあたり2つの素子が並列の電流経路となるため、個々のダイへのストレスが軽減され、熱分布を対称にするための密な配置が可能です。
効率的なスイッチングには、どのようなゲート駆動特性が必要ですか？
最大ゲート-ソース間定格 4.5V と 8.4nC の低いゲート電荷に対応したゲート駆動により、ゲートドライバの損失とスイッチングエネルギーを低減できます。
選定に関係する材料規格や規制基準はありますか？
この部品はJEDECおよびRoHSに適合し、IEC61249-2-21基板材料で製造されているため、標準化された材料と鉛フリーの要件を満たしています。
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