Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 27 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD33CN10NGATMA1

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梱包形態
RS品番:
215-2506
メーカー型番:
IPD33CN10NGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

27A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS 2

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

58W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon の 100V OptiMOS ™パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションを提供します。次善の技術と比較してこのファミリは、R DS (on)とFOM (性能指数)の両方が30 %低くなっています。

Nチャンネル、標準レベル

優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)

超低オン抵抗 R DS(on)

鉛フリーリードめっき

対象となる用途のJEDECに適合

高周波スイッチング及び同期整流に最適です

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