Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 27 A, 33 mΩ, 24 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 215-2506
- メーカー型番:
- IPD33CN10NGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2506
- メーカー型番:
- IPD33CN10NGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 27A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | OptiMOS 2 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 33mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 58W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 27A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ OptiMOS 2 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 33mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 58W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の 100V OptiMOS ™パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションを提供します。次善の技術と比較してこのファミリは、R DS (on)とFOM (性能指数)の両方が30 %低くなっています。
Nチャンネル、標準レベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
鉛フリーリードめっき
対象となる用途のJEDECに適合
高周波スイッチング及び同期整流に最適です
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