Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK, IPL60R285P7AUMA1

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梱包形態
RS品番:
215-2524
メーカー型番:
IPL60R285P7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

600V CoolMOS CFD7

パッケージ型式

ThinPAK

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

285mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

59W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

1.1 mm

高さ

8.1mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V Cool MOS ™ P7 は、 600 V Cool MOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。Cool MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷( Q G )により、高い効率が保証されます。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と使いやすさ(例:非常に低いリンギング傾向、ハード整流に対するボディダイオードの卓越した堅牢性、優れた ESD 機能)が組み合わされています。さらに、スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途がより効率的で、コンパクトで、はるかに低温になります。

ハードスイッチング及びソフトスイッチング( PFC 及び LLC )に最適 優れた耐久性を備えています

>すべての製品で優れた ESD 耐性: 2 kV ( HBM

スイッチング損失と導電損失を大幅に低減

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

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