Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK, IPL65R070C7AUMA1
- RS品番:
- 222-4918
- メーカー型番:
- IPL65R070C7AUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4918
- メーカー型番:
- IPL65R070C7AUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 28A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | IPL60R | |
| パッケージ型式 | ThinPAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大許容損失Pd | 169W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 64nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 28A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ IPL60R | ||
パッケージ型式 ThinPAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大許容損失Pd 169W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 64nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 8.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。
革新的なクラス最高のR DS(on)／パッケージ
出力容量に蓄積されるエネルギーの低減 (Eoss)
低いゲート電荷量Qg
パッケージの小型化、部品点数の削減による省スペース化
12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験
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