Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
215-2560
メーカー型番:
IPW60R040CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

CoolMOS CFD7

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

109nC

最大許容損失Pd

227W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V Cool MOS ™ CFD7 は、高速ボディダイオードを内蔵した Infineon の最新の高電圧スーパージャンクション MOSFET 技術で、 Cool MOS ™ 7 シリーズを構成しています。Cool MOS ™ CFD7 には、ゲートチャージ（ Qg ）の削減、ターンオフ動作の改善、競合製品と比較して最大 69% の逆回復電荷（ Qrr ）、および市場で最も低い逆回復時間（ trr ）が含まれます。

Infineon 600 V Cool MOS ™ CFD7 は、高速ボディダイオードを内蔵した Infineon の最新の高電圧スーパージャンクション MOSFET 技術で、 Cool MOS ™ 7 シリーズを構成しています。Cool MOS ™ CFD7 には、ゲートチャージ（ Qg ）の削減、ターンオフ動作の改善、競合製品と比較して最大 69% の逆回復電荷（ Qrr ）、および市場で最も低い逆回復時間（ trr ）が含まれます。

超高速ボディダイオード

クラス最高の逆回復電荷（ Qrr ）

逆ダイオード dv/dt と dv/dt の耐久性が向上しています

最低 FOM RDS （ on ） x Qg 、 eOSS

クラス最高の RDS （ on ） / パッケージの組み合わせ

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