Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 40 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 215-2567
- メーカー型番:
- IPW60R080P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 150 - 270 | ¥397.967 | ¥11,939 |
| 300 - 720 | ¥376.70 | ¥11,301 |
| 750 - 1470 | ¥366.10 | ¥10,983 |
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- RS品番:
- 215-2567
- メーカー型番:
- IPW60R080P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | CoolMOS C7 | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 51nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大許容損失Pd | 129W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ CoolMOS C7 | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大許容損失Pd 129W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 600 V Cool MOS ™ P7 は、 600 V Cool MOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。Cool MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷( Q G )により、高い効率が保証されます。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と使いやすさ(例:非常に低いリンギング傾向、ハード整流に対するボディダイオードの卓越した堅牢性、優れた ESD 機能)が組み合わされています。さらに、スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途がより効率的で、コンパクトで、はるかに低温になります。
ハードスイッチング及びソフトスイッチング( PFC 及び LLC )に最適 優れた耐久性を備えています
>すべての製品で優れた ESD 耐性: 2 kV ( HBM
スイッチング損失と導電損失を大幅に低減
スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
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