Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF1310NSTRLPBF

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梱包形態
RS品番:
215-2572
メーカー型番:
IRF1310NSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

36mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

160W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

EIA 418

長さ

14.173in

高さ

1.197in

幅

1.079 in

Distrelec Product Id

304-39-412

自動車規格

なし

International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。D2pack は表面実装電源パッケージです。最大 HEX-4 のダイサイズに対応できます。既存の表面実装パッケージで最高の電力容量と最低のオン抵抗を実現します。内部接続抵抗が低く、標準的な表面実装用途で最大 2.0 W を消散させることができるため、 D2pack は高電流用途に適しています。

先進のプロセス技術

アバランシェ定格一杯です

高速スイッチング

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