Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
215-2571
メーカー型番:
IRF1310NSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

36mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

160W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

幅

1.079 in

高さ

1.197in

長さ

14.173in

規格 / 承認

EIA 418

自動車規格

なし

International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。D2pack は表面実装電源パッケージです。最大 HEX-4 のダイサイズに対応できます。既存の表面実装パッケージで最高の電力容量と最低のオン抵抗を実現します。内部接続抵抗が低く、標準的な表面実装用途で最大 2.0 W を消散させることができるため、 D2pack は高電流用途に適しています。

先進のプロセス技術

アバランシェ定格一杯です

高速スイッチング

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