- RS品番:
- 216-9683
- メーカー型番:
- TSM110NB04DCR
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
在庫切れ
単価: 購入単位は25個
¥239.48
(税抜)
¥263.43
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
25 - 100 | ¥239.48 | ¥5,987.00 |
125 - 1100 | ¥233.76 | ¥5,844.00 |
1125 - 1475 | ¥219.88 | ¥5,497.00 |
1500 - 1975 | ¥213.00 | ¥5,325.00 |
2000 + | ¥205.92 | ¥5,148.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 216-9683
- メーカー型番:
- TSM110NB04DCR
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
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その他
詳細情報
Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。
低 RDS ( ON )で、導電損失を最小限に抑えます 低ゲート電荷量で高速電力スイッチングを実現します 100 % UIS 及び Rg テスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続ドレイン電流 | 48 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
パッケージタイプ | PDFN56 |
シリーズ | TSM025 |
ピン数 | 8 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 11 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
トランジスタ素材 | シリコン |
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