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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	8.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	CoolMOS
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	800mΩ
	チャンネルモード	N
	順方向電圧 Vf	0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20.5nC
	動作温度 Min	-40°C
	最大許容損失Pd	82W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	16.1mm
	高さ	29.87mm
	幅	4.8 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 8.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ CoolMOS
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 800mΩ
	チャンネルモード N
	順方向電圧 Vf 0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20.5nC
	動作温度 Min -40°C
	最大許容損失Pd 82W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 16.1mm
	高さ 29.87mm
	幅 4.8 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IPAN60R800CEXKSA1

Infineon CoolMOS ™ CE は、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの用途に適しています。また、最新のスーパージャンクションとして、低導電損失とスイッチング損失を実現して効率を高め、最終的に消費電力を削減します。 600 V 、 650 V 、 700 V CoolMOS ™ CE は、最適な R DS （ on ）とパッケージを組み合わせた、携帯電話やタブレット用の低電力充電器です。

標準 R DS と最大 R DS （ on ）の間の余白が狭い

出力静電容量（ Eoss ）に保存されているエネルギーを削減

堅牢なボディダイオードで、逆回復電荷を低減します（ Q rr ）

最適化された統合 R g

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 8.4 A N, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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