Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK 5x6, IPL60R1K5C6SATMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2541
メーカー型番:
IPL60R1K5C6SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

ThinPAK 5x6

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大許容損失Pd

111W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

幅

8.8 mm

長さ

8.8mm

自動車規格

なし

Infineon の新しい CoolMOS ™ ThinPAK 5x6 は、リードレス SMD パッケージで、高電圧 MOSFET 向けに特別に設計されています。この新しいパッケージは、フットプリントが 5 x 6 mm 2 と非常に小さく、高さが 1 mm しかない非常に低プロファイルです。この極めて小さいパッケージサイズとベンチマークの低寄生インダクタンスを組み合わせることで、電力密度駆動設計におけるシステムソリューションのサイズを小さくする新しい効果的な方法として使用できます。ThinPAK 5x6 パッケージは、ソースインダクタンスが 1.6 nH と非常に低いうえ、 DPAK と同等の熱特性を備えています。このパッケージにより、パワー MOSFET の高速かつ効率的なスイッチングが可能になり、スイッチング動作や EMI の点で取り扱いが容易になります。

小型フットプリント（ 5 x 6 mm ² ）

低プロファイル（ 1 mm ）

低寄生インダクタンス

RoHS対応

ハロゲンフリーモールドコンパウンドです

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