Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージVSON

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RS品番:
214-9069
メーカー型番:
IPL60R104C7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

VSON

シリーズ

CoolMOS C7

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

104mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

122W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

幅

8.1 mm

長さ

8.1mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS C7 は、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術を採用し、スーパージャンクション（SJ）原理に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。600 V CoolMOS C7 シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET メーカーの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。ハードスイッチング及びソフトスイッチング機能に適しています。パッケージが小さいため、電力密度が高いソリューションが採用されています。最適化された基板アセンブリとレイアウトソリューションが組み込まれています。

ハードスイッチング、ソフトスイッチングに最適

寄生インダクタンスが非常に低い SMD パッケージで、デバイスの制御が容易

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