Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP60R040C7XKSA1

600 V CoolMOS ™ C7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET シリーズは、 CoolMOS ™ CP と比較してターンオフ損失（ Eoss ）を最大 50 % 削減し、 PFC 、 TTF 、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7 は、高電力密度充電器の設計にも最適です。HYPERDATA センターや高効率通信整流器>（ 96% ）などの効率と TCO （総所有コスト）のアプリケーションは、 CoolMOS ™ C7 による高効率のメリットをもたらします。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、 2.5 kW サーバー PSU の場合、 600 V CoolMOS ™ C7 SJ MOSFET を TO-247 4 ピンパッケージで使用することで、 PSU のエネルギー損失を約 10 % 削減できます。

Qg 、 Coss 、 Eoss といったスイッチング損失パラメータ値を低減