Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 13 A, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP60R040S7XKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,024.00

(税抜)

￥1,126.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 365 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 24￥1,024
25 - 239￥938
240 - 319￥864
320 - 399￥788
400 +￥704

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
260-1216
メーカー型番:
IPP60R040S7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

IPP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

83nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

245W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Max

150°C

長さ

10.36mm

幅

15.95 mm

高さ

4.57mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

インフィニオンシリーズ IPP MOSFETトランジスタ、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流13A - IPP60R040S7XKSA1


このMOSFETトランジスタは、効率的な電力スイッチング用に設計された最先端の高電圧半導体部品です。連続ドレイン電流13A、最大ドレイン・ソース間電圧600Vなどの堅牢な仕様で、TO-220パッケージに封止されており、さまざまなアプリケーションに適しています。厳しい環境下でも信頼できる性能を保証するため、-55℃から+150℃までの広い温度範囲で動作する。

特徴と利点


• 伝導損失を最小限に抑えるCoolMOS™ S7テクノロジーによる設計

• 40mΩの低オン抵抗で効率を向上

• 要求の厳しい高パルス電流に対応可能

• 低周波スイッチング・アプリケーション用に最適化され、システム性能を向上

• 内蔵機能により、静的スイッチングシナリオで高い信頼性を確保

用途


• ソリッドステートリレーや革新的なサーキットブレーカー設計に活用

• コンピューティングやテレコミュニケーションのようなハイパワーパフォーマンスでのライン整流に最適

• 再生可能エネルギー・ソリューション、特にソーラー・インバータに適用可能

熱性能に影響を与える重要な機能とは？


このデバイスの最大消費電力は245Wで、ジャンクション温度から周囲温度までの熱抵抗は62℃/Wであり、効果的な熱管理が可能である。これにより、過酷な運転条件下での長寿命と信頼性が保証される。

このコンポーネントは、低周波アプリケーションのシステム効率をどのように高めるのですか？


低オン抵抗とCoolMOS™技術により、動作時のエネルギー損失が大幅に低減され、全体的な効率が向上し、低周波環境での発熱が最小限に抑えられます。

高電圧のアプリケーションでこれを使用する場合、どのような方法が推奨されますか？


設計段階で宇宙放射線の影響を評価し、パラレル・アプリケーションではゲートにフェライト・ビーズを使用するなど、潜在的な問題を軽減するための適切な設計手法を検討することが望ましい。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ