Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 6 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP80R900P7XKSA1

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217-2572
メーカー型番:
IPP80R900P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

45W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

4.57 mm

高さ

29.95mm

規格 / 承認

No

長さ

10.36mm

自動車規格

なし

Infineon 800V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比の市場ニーズに完全に対応することで、低消費電力 SMPS 用途に最適です。主にアダプタと充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。 この新製品ファミリは、前モデルと比べて効率が最大 0.6 % 、 MOSFET 温度が 2 → 8 ° C と低くなっています。また、一般的なフライバック用途でテストされた競合他社の部品にも対応しています。また、スイッチング損失が低く、 DPAK R DS ( on )製品の性能が優れているため、電力密度を高めた設計が可能になります。全体として、お客様は BOM コストを削減し、組み立て作業を削減できます。

クラス最高の FOM R DS ( on ) * Eoss; Qg 、 C iss 、 Coss 低減

280 m Ω のクラス最高の DPAK R DS ( on )です

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