Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 600 V, 29 A, 120 mΩ, 36 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥20,418.99

(税抜)

¥22,460.88

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,020 2026年8月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120¥680.633¥20,419
150 - 270¥660.70¥19,821
300 - 720¥625.567¥18,767
750 - 1470¥607.60¥18,228
1500 +¥590.133¥17,704

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
217-2586
メーカー型番:
IPW60R120P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大許容損失Pd

95W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

41.42mm

長さ

6.13mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション( SJ ) MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。CoolMOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷( Q G )により、高効率を実現しています。

ESD 耐性:≥ 2 kV ( HBM クラス 2 )

内蔵ゲート抵抗器 R G

堅牢なボディのダイオード

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方の部品を用意しています

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。