Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 386 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
219-6018
メーカー型番:
IPW60R024P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

386A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

164nC

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

291W

動作温度 Max

150°C

幅

21.1 mm

長さ

16.13mm

規格 / 承認

No

高さ

5.21mm

自動車規格

なし

Infineon 600V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。今後も、高効率化と使いやすさのバランスを取りながら、設計を進めています。CoolMOS™ 第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと本質的に低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

600 V P7 は、優れた FOM により（ on ） xEoss と RDS （ on ） xQG を実現

ゲート抵抗RGを内蔵

高耐久性ボディダイオード

スルーホールと表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業グレードの両方の部品を用意

内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度を低下

MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジに適しています

LLCトポロジでボディダイオードはハードコミュテーション時に優れた耐久性を発揮

様々な用途、出力電力に対応可能

民生や産業用途に適した製品を用意

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