Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 217-2590
- メーカー型番:
- IPZ60R040C7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 300 - 720 | ￥847.033 | ￥25,411 |
| 750 - 1470 | ￥827.567 | ￥24,827 |
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- RS品番:
- 217-2590
- メーカー型番:
- IPZ60R040C7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | CoolMOS C7 | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 227W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 107nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 16.13mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 41.42mm | |
| 幅 | 5.21 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ CoolMOS C7 | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 227W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 107nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 16.13mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 41.42mm | ||
幅 5.21 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 600 V CoolMOS ™ C7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET シリーズは、 CoolMOS ™ CP と比べてターンオフ損失（ Eoss ）を約 50 % 削減し、 PFC 、 TTF 、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7 は、高電力密度充電器の設計にも最適です。HYPERDATA センターや高効率通信整流器>（ 96% ）などの効率と TCO （総所有コスト）のアプリケーションは、 CoolMOS ™ C7 による高効率のメリットをもたらします。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、 2.5 kW サーバー PSU の場合、 600 V CoolMOS ™ C7 SJ MOSFET を TO-247 4 ピンパッケージで使用することで、 PSU のエネルギー損失を約 10 % 削減できます。
Qg 、 Coss 、 Eoss といったスイッチング損失パラメータ値を低減
クラス最高の性能指数Qg*R DS(on)
スイッチング周波数の増大
R(on)*Aが世界最高
堅牢なボディのダイオード
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