Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 44 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
RS品番:
217-2614
メーカー型番:
IRFH8334TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

44A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

3.2W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.1nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6.02mm

高さ

1.17mm

幅

4.98 mm

自動車規格

なし

Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 5 mm x 6 mm の PQFN パッケージに収容されています。

ディストリビューションパートナーからの広範な可用性を実現するように最適化されて

JEDEC 規格に準拠した製品認定

5 V のゲート駆動電圧（ロジックレベルと呼ばれる）向けに最適化

業界標準の表面実装電源パッケージ

関連ページ