Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 44 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH8334TRPBF
- RS品番:
- 217-2615
- メーカー型番:
- IRFH8334TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 150 | ￥84.64 | ￥4,232 |
| 200 - 1700 | ￥75.40 | ￥3,770 |
| 1750 - 2450 | ￥66.16 | ￥3,308 |
| 2500 - 2950 | ￥55.44 | ￥2,772 |
| 3000 + | ￥46.20 | ￥2,310 |
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- RS品番:
- 217-2615
- メーカー型番:
- IRFH8334TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 44A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 3.2W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.17mm | |
| 幅 | 4.98 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 6.02mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 44A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 3.2W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.1nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.17mm | ||
幅 4.98 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 6.02mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 5 mm x 6 mm の PQFN パッケージに収容されています。
ディストリビューションパートナーからの広範な可用性を実現するように最適化されて
JEDEC 規格に準拠した製品認定
5 V のゲート駆動電圧（ロジックレベルと呼ばれる）向けに最適化
業界標準の表面実装電源パッケージ