Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 45 A, 48 mΩ, 110 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥3,890

(税抜)

¥4,279

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,590 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 35¥778.00¥3,890
40 - 370¥703.60¥3,518
375 - 495¥644.60¥3,223
500 - 595¥585.60¥2,928
600 +¥526.00¥2,630

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
217-2634
メーカー型番:
IRFS4229TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

48mΩ

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

330W

動作温度 Max

175°C

長さ

10.67mm

高さ

9.65mm

規格 / 承認

EIA 418

幅

4.83mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧250V、最大連続ドレイン電流45A - IRFS4229TRLPBF


このMOSFETは、堅牢なドレイン処理と幅広い温度動作が必要な表面実装電源用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。高速スイッチングおよび高電流回路に適したNチャンネル電源デバイスとして機能し、EIA-418の業界標準認証を取得し、幅広い環境範囲で動作します。

特長:


• 250V ドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 45A の連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 48mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 330Wの許容電力により、持続的な熱処理が可能
• 110nCのゲート充電により、ゲートドライブのサイズを予測可能
• 1.3Vの順方向電圧により、ダイオードの伝導降下を最小限に抑制

用途


• 高電圧DC-DCコンバータに最適
• パワーエレクトロニクスのモータードライブステージに最適
• スイッチングレギュレータおよび電源と併用
• 高電流負荷スイッチングに使用可能
• ヒートシンク付き基板の表面実装アセンブリに最適

どのようなパッケージと取付方式を使用していますか?


表面実装用のTO-263パッケージで提供されます。

どのような環境条件に耐えることができますか?


-55°C~175°Cで動作するように設定されています。

設計者はどのくらいのゲート駆動エネルギーに対して予算を設定する必要がありますか?


設計者は、ゲートドライバのサイズを調整する際に、110nCの標準ゲート電荷を考慮する必要があります。

自動車仕様用途に適していますか?


自動車グレード規格に適合していないと分類されています。

最大ゲート-ソース間電圧はどのくらいですか?


最大ゲート-ソース間定格電圧は20Vです。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。