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Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 45 A, 表面パッケージTO-263, IRFS4229TRLPBF

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Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、持続 ; プラズマディスプレイパネルでのエネルギー回収 / 合格スイッチの用途この MOSFET は、最新の処理技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗が低く、 E パルス定格が低くなっています。

先進のプロセス技術

PDP Sustain 、 Energy Recovery 、および Pass Switch アプリケーション用に最適化された主要パラメータ

PDP 持続、エネルギー回復、及びパススイッチ用途での消費電力を低減する低 EPULSE 定格

QG が低いため、高速応答を実現します

高い Peak 繰り返し電流容量により信頼性の高い動作を実現

高速スイッチングのための短い落下時間及び立ち上がり時間

動作ジャンクション温度： 175 ° C で堅牢性を向上

反復アバランシェ機能で堅牢性と信頼性を向上

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 45 A, 表面 パッケージTO-263, IRFS4229TRLPBF