Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 24 A, 77.5 mΩ, 25 nC, パッケージ:TO-263

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梱包形態
RS品番:
257-9436
メーカー型番:
IRFS4620TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

77.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

144W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧200V、最大連続ドレイン電流24A - IRFS4620TRLPBF


このMOSFETは、高電圧スイッチングおよび電力変換作業向けに設計されたNチャンネルエンハンスメントモードパワートランジスタです。基板実装電源アセンブリに適したTO-263パッケージで提供され、過酷な環境でも幅広い温度範囲で動作します。このデバイスは、指定された順方向電圧の本体ダイオードを内蔵し、RoHSに準拠しています。

特長および利点:


• 定格電圧 200V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続電流 24A により、大きな負荷電流に対応
• 77.5mΩ のRDS(on)により、動作時の導通損失を低減
• 144Wの消費電力により、高い熱負荷を実現
• 25 nCの標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現

用途


• 高電圧DC-DCコンバータステージに最適
• スイッチモード電源出力スイッチに最適
• 電源アセンブリのモータードライブコントローラーと併用
• 産業用電子機器の負荷スイッチングに使用可能
• 自動車以外のシステムでの電力管理に最適

どのようなゲートドライブに関する考慮事項を設定する必要がありますか?


VGSでの標準的な総ゲート電荷: 25 nC

必要なスイッチング速度を達成するために十分な電流を供給してシンクできるドライバを選択してください。

熱性能はプリント基板設計にどのように影響しますか?


最大消費電力は144 Wで、ジャンクションから周囲への熱伝達を管理するために、十分な銅面積又はヒートシンク及びサーマルビーを確保します。

制御電圧と信号電圧の制限は何ですか?


ゲートはソースに対して最大20Vまで駆動可能

ゲートソースの出力は、この値を超えてはなりません。

動作時に対応可能な温度範囲はどのくらいですか?


このデバイスは、-55°C~175°Cまでの幅広い温度範囲で動作するように設計されています。

逆伝導に重要なダイオード特性は何ですか?


本質ダイオードは1.3Vの順方向電圧を備えており、逆電流イベント時の導通損失に影響を与えます。

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