Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 89 A, 表面 パッケージTO-263

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RS品番:
217-2635
メーカー型番:
IRL3705NSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

89A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

170W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

98nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

17.79mm

長さ

10.67mm

幅

4.83 mm

自動車規格

なし

Infineon 55V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 D2-Pak パッケージ入りです。

Infineon 55V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 D2-Pak パッケージ入りです。

ワイド SOA のための平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの広範な可用性を実現するように最適化されて

JEDEC 規格に準拠した製品認定

100
業界標準の表面実装電源パッケージ

高電流容量パッケージ（最大 195 A 、ダイサイズ依存）

ウェーブはんだ付けが可能です

ワイド SOA のための平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの広範な可用性を実現するように最適化されて

JEDEC 規格に準拠した製品認定

100
業界標準の表面実装電源パッケージ

高電流容量パッケージ（最大 195 A 、ダイサイズ依存）

ウェーブはんだ付けが可能です

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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