Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 17 A, 表面 パッケージTO-263, IRL530NSTRLPBF

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梱包形態
RS品番:
258-3992
Distrelec 品番:
304-40-548
メーカー型番:
IRL530NSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3.8W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETパワーMOSFETは、International Rectifierの第5世代HEXFETで、高度な処理技術を採用し、シリコンエリアあたりのオン抵抗を最小限に抑えることができます。この利点は、HEXFETパワーMOSFETがよく知られている高速スイッチング速度と頑丈なデバイス設計と組み合わせて、設計者に幅広い用途で使用できる非常に効率的なデバイスを提供します。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz

業界標準の表面実装パワーパッケージ

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