Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 190 A, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥617,760.00

(税抜)

￥679,536.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥772.20￥617,760
1600 - 7200￥756.764￥605,411
8000 - 11200￥741.649￥593,319
12000 - 15200￥726.805￥581,444
16000 +￥712.261￥569,809

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
217-2641
メーカー型番:
IRLS4030TRL7PP
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

190A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

140nC

最大許容損失Pd

370W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.35mm

幅

4.55 mm

高さ

15.3mm

自動車規格

なし

Infineon 100 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 7 ピン D2-Pak パッケージに収容されています。

ロジックレベルドライブ向けに最適化されています

超低 RDS （ ON ） @ 4.5 V VGS

優れた R * Q @ 4.5 V VGS I

ゲート、アバランシェ、ダイナミック dV/dt の耐久性の向上

静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化

拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量

無鉛

関連ページ