Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A, PCBマウント パッケージTO-263, IRLS4030TRLPBF
- RS品番:
- 257-5840
- メーカー型番:
- IRLS4030TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
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仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.3mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.3mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETは、ロジックレベルドライブ、4.5 V VGSで非常に低いRDS、使用されているDCモータドライブ、SMPSでの高効率同期整流、無停電電源、高速電源スイッチング、ハードスイッチング及び高周波回路が最適化されています。
45 V VGSで優れたR*Q
ゲート、アバランシェ、及びダイナミックdV/dtの強度を向上
完全に特性化された静電容量及びアバランシェSOA
強化されたボディダイオードdV/dt及びdI/dt機能
鉛フリー
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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