Infineon MOSFET, Nチャンネル, 240 V, 350 mA, 6 Ω, 4.5 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 218-2981
- Distrelec 品番:
- 304-39-399
- メーカー型番:
- BSP88H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール1000個入り) 小計：*
￥52,440
(税抜)
￥57,680
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 1,000 は 2026年11月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | ￥52.44 | ￥52,440 |
| 5000 - 9000 | ￥51.382 | ￥51,382 |
| 10000 - 24000 | ￥48.639 | ￥48,639 |
| 25000 - 49000 | ￥47.27 | ￥47,270 |
| 50000 + | ￥45.906 | ￥45,906 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 218-2981
- Distrelec 品番:
- 304-39-399
- メーカー型番:
- BSP88H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 350mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 240V | |
| シリーズ | BSP88 | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 350mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 240V | ||
シリーズ BSP88 | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.7mm | ||
高さ 1.8mm | ||
幅 3.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon BSP88シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧240V、最大消費電力1.8W - BSP88H6327XTSA1
このMOSFETは、要求の厳しい環境での表面実装電力スイッチングおよび制御用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。自動車用途に適した広い温度範囲で動作し、標準的な制御電圧に適したゲート保護機能を備えた強化モードスイッチングを実現します。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 240V により、高電圧スイッチングが可能
• 6Ωの最大Rdsにより、低電流回路での導通損失を低減
• 350mAの連続ドレイン電流により、中程度の電流負荷に対応
• 4.5nCの標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現
• 1.8Wの消費電力により、中程度の熱負荷に対応
• 20Vゲート-ソースリミットにより、定義されたゲート保護マージンを実現
• 6Ωの最大Rdsにより、低電流回路での導通損失を低減
• 350mAの連続ドレイン電流により、中程度の電流負荷に対応
• 4.5nCの標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現
• 1.8Wの消費電力により、中程度の熱負荷に対応
• 20Vゲート-ソースリミットにより、定義されたゲート保護マージンを実現
用途
• 自動車用センサインターフェイス回路に最適
• 絶縁型高電圧制御ステージに最適
• バッテリ管理システムまたは補助システムと併用
• 基板レベルの電力シーケンシングに使用可能
• 低電力モータドライバ制御に最適
• 絶縁型高電圧制御ステージに最適
• バッテリ管理システムまたは補助システムと併用
• 基板レベルの電力シーケンシングに使用可能
• 低電力モータドライバ制御に最適
動作中にどのような温度範囲に耐えられますか?
このデバイスの定格動作温度は-55°C～150°Cです。
このデバイスは、プリント基板にどのように取り付けるように設計されていますか?
表面実装組立用のSOT-223パッケージで提供されます。
設計者が期待するパッケージピン数はどのくらいですか?
回路接続用に4つのピンを用意しています。
どのチャンネルタイプとモードがスイッチング動作を定義しますか?
エンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスです。
認定にはどのような自動車規格に適合していますか?
AEC-Q101車載コンポーネント規格に準拠
関連ページ
- Infineon MOSFET 240 V 6 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 240 V 6 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 240 V 20 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 400 V 25 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 250 V 20 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 200 V 1.8 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223