Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 260 A, 1.9 mΩ, 8ピン, パッケージ：HSOF
- RS品番:
- 218-2989
- メーカー型番:
- IAUT260N10S5N019ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 20000 - 28000 | ￥424.425 | ￥848,850 |
| 30000 - 38000 | ￥417.326 | ￥834,652 |
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- RS品番:
- 218-2989
- メーカー型番:
- IAUT260N10S5N019ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 260A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 260A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 5シリーズMOSFET、100 Vドレインソース電圧、260 A連続ドレイン電流 - IAUT260N10S5N019ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい環境での表面実装電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。過酷な条件に適した幅広い温度範囲で動作し、大きなドレイン電流処理、厳しいオン抵抗、堅牢なゲート電圧耐性を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 1.9mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流260Aで、大電流用途に対応
• 100Vドレイン・ソース定格により、中電圧システムをサポート
• ±20Vのゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現
• 300Wの消費電力により、大幅な熱負荷を実現
• 順方向電圧 1.3V により、ダイオードの導通損失を最小限に低減
• 連続ドレイン電流260Aで、大電流用途に対応
• 100Vドレイン・ソース定格により、中電圧システムをサポート
• ±20Vのゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現
• 300Wの消費電力により、大幅な熱負荷を実現
• 順方向電圧 1.3V により、ダイオードの導通損失を最小限に低減
用途
• 自動車用パワートレインおよびモータードライブに最適
• 高電流DC-DC変換段階に最適
• バッテリ管理およびエネルギー貯蔵システムと併用
• 電気自動車の配電に使用可能
• コンパクトなパワーMOSFETを必要とする表面実装アセンブリに最適
• 高電流DC-DC変換段階に最適
• バッテリ管理およびエネルギー貯蔵システムと併用
• 電気自動車の配電に使用可能
• コンパクトなパワーMOSFETを必要とする表面実装アセンブリに最適
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
-55°C～+175°Cでの連続使用が可能です。
コンパクトアセンブリには、どのようなパッケージと取り付けスタイルがありますか?
8ピンの表面実装用HSOFパッケージで提供されます。
このデバイスは、自動車認定のニーズをどのようにサポートしますか?
車両環境で使用されるコンポーネントに関する車載AEC-Q101の要件を満たしています。
どのチャンネルタイプとモードがスイッチング動作を決定しますか?
強化モードで動作するNチャンネルデバイスを使用して制御された伝導を実現します。
ゲート電圧およびドレイン電圧には、どのような電気的制限を遵守する必要がありますか?
ゲートソース電圧は±20V以内、ドレインソース電圧は100V以内である必要があります。
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