Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 4.8 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
218-3046
メーカー型番:
IPD50R1K4CEAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

500V CoolMOS CE

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.2nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.83V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

25W

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

Infineon 500 V CoolMOS ™ CE シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。CoolMOS ™は、高電圧パワー MOSFET 向けの革新的な技術で、スーパージャンクション（ SJ ）原理に従って設計され、 Infineon Technologies が開発したものです。このシリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、市場で最高のコスト削減性能比を実現しながら、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET のすべての利点を備えています。

超高耐久性

使いやすい / ドライブ

鉛フリーめっき、ハロゲンフリーモールドコンパウンド

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