Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 483 A, 0.00128 Ω, 3ピン, パッケージ:TO-247
- RS品番:
- 218-3093
- メーカー型番:
- IRF100P218XKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 218-3093
- メーカー型番:
- IRF100P218XKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 483A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | StrongIRFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00128Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 483A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ StrongIRFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00128Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
インフィニオン 100 V Nチャンネルパワー MOSFET。このMOSFETは高スイッチング周波数用途に最適です。
非常に低いRDS(on)
優れたゲート電荷 x RDS(on) (FOM)
最適化されたQrr
175 °C動作温度
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