インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 483 A, スルーホール, 3 ピン, IRF100P218XKMA1
- RS品番:
- 218-3093
- メーカー型番:
- IRF100P218XKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 218-3093
- メーカー型番:
- IRF100P218XKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 483 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| シリーズ | StrongIRFET | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.00128 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.8V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 483 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
シリーズ StrongIRFET | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.00128 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 3.8V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
Infineon の 100 V N チャンネルパワー MOSFET です。この MOSFET は、高スイッチング周波数用途に最適です。
非常に低いRDS (オン)
優れたゲート電荷量 x RDS （ on ）（ FOM ）
最適化された Qrr
175 °Cの動作温度
優れたゲート電荷量 x RDS （ on ）（ FOM ）
最適化された Qrr
175 °Cの動作温度
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