Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 100 V, 483 A, 1.28 mΩ, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 258-3950
- メーカー型番:
- IRF100P218AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本25個入り) 小計：*
￥29,313
(税抜)
￥32,244
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 400 は 2026年12月03日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | ￥1,172.52 | ￥29,313 |
| 125 - 225 | ￥1,160.52 | ￥29,013 |
| 250 - 600 | ￥1,137.76 | ￥28,444 |
| 625 - 1225 | ￥1,114.80 | ￥27,870 |
| 1250 + | ￥1,093.16 | ￥27,329 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 258-3950
- メーカー型番:
- IRF100P218AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 483A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.28mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 483A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.28mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧100V、最大連続ドレイン電流483A - IRF100P218AKMA1
このMOSFETは、電力スイッチングおよび変換作業向けの高電流Nチャンネル半導体デバイスです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、表面実装用のTO‐247パッケージで提供されます。このデバイスは、強化モード伝導を採用し、RoHS要件に適合しています。
特長および利点：
• 1.28mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を低減
• 100V Vdsにより、中電圧電源用途に対応
• 483A 連続電流により高電流スイッチングをサポート
• -55°C～+175°Cの範囲で、産業用温度動作が可能
• 1.2Vの順方向電圧により、ダイオードの伝導効率を向上
• 100V Vdsにより、中電圧電源用途に対応
• 483A 連続電流により高電流スイッチングをサポート
• -55°C～+175°Cの範囲で、産業用温度動作が可能
• 1.2Vの順方向電圧により、ダイオードの伝導効率を向上
用途
• モーター駆動パワーステージに最適
• インバータ出力スイッチングに最適
• 高電流電源設計に使用
• 産業用システムのDC-DCコンバータに使用可能
• 高電流テストベンチおよびロードバンクに最適
• インバータ出力スイッチングに最適
• 高電流電源設計に使用
• 産業用システムのDC-DCコンバータに使用可能
• 高電流テストベンチおよびロードバンクに最適
どのような取り付け構成を使用しますか?
表面実装用に設計されたTO‐247パッケージで提供されます。
このデバイスはどのような導通方式を採用していますか?
このトランジスタは、制御されたスイッチング用のエンハンスメントモードN型チャンネルです。
一般的な有害物質制限に適合していますか?
制限物質の制御を示すRoHS認証を取得しています。
動作時に許容できる温度範囲の上限と下限はどのくらいですか？
このデバイスは、-55°C～+175°Cの範囲で動作するように設定されています。
本体ダイオード伝導時の標準的な順方向電圧はどのくらいですか?
順方向電圧は1.2Vで指定されています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 100 V 1.28 mΩ, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 100 V 0.00128 Ω パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 316 A, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 150 V 4.50 mΩ, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 150 V 2.70 mΩ, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 300 V 19 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 100 V 1.7 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 100 V 13 mΩ パッケージ：SO-8