Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 28 A, 表面, 2-Pin パッケージDirectFET, IRF6775MTRPBF

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梱包形態
RS品番:
218-3102
メーカー型番:
IRF6775MTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

28A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

DirectFET

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

最大許容損失Pd

89W

順方向電圧 Vf

1.3V

長さ

4.85mm

規格 / 承認

No

高さ

0.68mm

幅

3.95 mm

自動車規格

なし

Infineon 150 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET です。このデジタルオーディオ MOSFET は、クラス D オーディオアンプ用途専用に設計されています。この MOSFET は、最新の処理技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を低く抑えています。インダクタンスが低いため、高速電流過渡に伴う電圧リンギングが低減され、 EMI 性能が向上します。

Infineon 150 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET です。このデジタルオーディオ MOSFET は、クラス D オーディオアンプ用途専用に設計されています。この MOSFET は、最新の処理技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を低く抑えています。インダクタンスが低いため、高速電流過渡に伴う電圧リンギングが低減され、 EMI 性能が向上します。

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両面冷却対応

既存の表面実装技術に対応

無鉛

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