Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 6 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR825TRPBF
- RS品番:
- 218-3116
- メーカー型番:
- IRFR825TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
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- RS品番:
- 218-3116
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- IRFR825TRPBF
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.3Ω | |
| 最大許容損失Pd | 119W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 9.65mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.3Ω | ||
最大許容損失Pd 119W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.67mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 9.65mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 DPAK （ TO-252 ）タイプパッケージに収容されています。この MOSFET は、主に UPS 、 SMPS などに使用されます
ゲート電荷が小さいため、ドライブ要件がよりシンプルになります。
ゲート電圧しきい値を高くすると、ノイズ耐性が向上します。