Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 110 A, 表面 パッケージTO-252, IRFR7540TRPBF
- RS品番:
- 257-5806
- メーカー型番:
- IRFR7540TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,664.00
(税抜)
￥1,830.40
(税込)
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | ￥332.80 | ￥1,664 |
| 100 - 945 | ￥309.20 | ￥1,546 |
| 950 - 1245 | ￥286.20 | ￥1,431 |
| 1250 - 1595 | ￥262.60 | ￥1,313 |
| 1600 + | ￥239.60 | ￥1,198 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 257-5806
- メーカー型番:
- IRFR7540TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.8mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 86nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETは、ゲート、アバランシェ及びダイナミックdV/dtの堅牢性を向上させ、静電容量及びアバランシェSOAを完全に特性化しています。
強化されたボディダイオードdV/dt及びdI/dt機能
鉛フリー、RoHS準拠