STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 90 V, 2.5 A, 1 Ω, 5ピン, パッケージ：LBB
- RS品番:
- 218-4818
- メーカー型番:
- RF3L05150CB4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 218-4818
- メーカー型番:
- RF3L05150CB4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 90V | |
| パッケージ型式 | LBB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1Ω | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 90V | ||
パッケージ型式 LBB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1Ω | ||
STMicroelectronics XXXxは、HF → 1 GHzの周波数のワイドバンド通信及びISM用途向けに設計されたART LDMOS FETのステータスです。この製品は、136 → 174MHzの商用地上通信、30 → 512MHzのJammer、地上/航空通信システムにも適用されます。
内蔵ESD保護
高効率及びリニアゲイン動作を実現
欧州指令2002/95/ECに準拠
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