シングル STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 65 V, 表面 エンハンスメント型, 4-Pin パッケージB4E
- RS品番:
- 230-0084
- メーカー型番:
- RF2L16180CB4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 120 - 120 | ¥26,472.658 | ¥3,176,719 |
| 240 - 240 | ¥25,826.983 | ¥3,099,238 |
| 360 - 360 | ¥25,515.817 | ¥3,061,898 |
| 480 - 480 | ¥25,212.05 | ¥3,025,446 |
| 600 + | ¥24,915.442 | ¥2,989,853 |
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- RS品番:
- 230-0084
- メーカー型番:
- RF2L16180CB4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 65V | |
| パッケージ型式 | B4E | |
| シリーズ | RF2L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 9.4mm | |
| 長さ | 27.94mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| 標準パワーゲイン | 14dB | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 65V | ||
パッケージ型式 B4E | ||
シリーズ RF2L | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 200°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 9.4mm | ||
長さ 27.94mm | ||
自動車規格 なし | ||
標準パワーゲイン 14dB | ||
STMicroelectronics RF2L16180CB4 は、 180 W 、 28 V の内部整合 LDMOS トランジスタで、マルチキャリア WCDMA / PCS / DCS / LTE ベースステーション及び周波数 1300 → 1600 MHz の ISM 用途向けに設計されています。4 つのリードは、シングルエンド、 180 度プッシュプル、 90 度ハイブリッド、または適切な外部整合ネットワークを備えた Doherty として構成できます。
高効率及び線形ゲイン動作
ESD保護機能を内蔵
使いやすいように内部的に調和しています
Doherty アプリケーション用に最適化されています
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