シングル STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 65 V, 表面 エンハンスメント型, 4-Pin パッケージB4E

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール120個入り) 小計:*

¥3,012,030.96

(税抜)

¥3,313,234.08

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年9月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
120 - 120¥25,100.258¥3,012,031
240 - 240¥24,731.133¥2,967,736
360 - 360¥24,362.025¥2,923,443
480 - 480¥23,992.90¥2,879,148
600 +¥23,623.775¥2,834,853

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
230-0084
メーカー型番:
RF2L16180CB4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

動作周波数

1450 MHz

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

65V

シリーズ

RF2L

パッケージ型式

B4E

取付タイプ

表面

ピン数

4

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Max

200°C

トランジスタ構成

シングル

規格 / 承認

RoHS

9.78 mm

高さ

9.4mm

長さ

27.94mm

自動車規格

なし

標準パワーゲイン

14dB

STMicroelectronics RF2L16180CB4 は、 180 W 、 28 V の内部整合 LDMOS トランジスタで、マルチキャリア WCDMA / PCS / DCS / LTE ベースステーション及び周波数 1300 → 1600 MHz の ISM 用途向けに設計されています。4 つのリードは、シングルエンド、 180 度プッシュプル、 90 度ハイブリッド、または適切な外部整合ネットワークを備えた Doherty として構成できます。

高効率及び線形ゲイン動作

ESD保護機能を内蔵

使いやすいように内部的に調和しています

Doherty アプリケーション用に最適化されています

関連ページ