Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 80 V, 200 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF, IAUT200N08S5N023ATMA1

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220-7366
メーカー型番:
IAUT200N08S5N023ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

200A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

PG-HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon は、新しいOptiMOS技術を使用した75V-100V Nチャネル車載用パワーMOSFETをさまざまなパッケージで提供します。1.2mΩから190mΩまでのRDS（on）、乗用車のCO2排出量削減により、48 Vボードネット採用が加速し、同種スタータ発電機（メインインバータ）やバッテリーメインスイッチ、DC-DCコンバータも、48 V化することが進んでいます。Infineon は、この新興市場向けに、車載用80Vと100V のMOSFETを豊富に取り揃えています。TOLL （ HSOF-8 ）、 Tolg （ HSOG-8 ）、 TOLT （ HDSOP-16 ）、 SSO8 （ TDSON-8 ）、 S308 （ TSDSON-8 ）など、さまざまなパッケージに収められ、ECUレベルにおける、異なる電力要件や冷却コンセプトに対するソリューションを提供します。80Vと100VのMOSFETは、48V用途の他、LED照明、燃料噴射、車載用ワイヤレス充電などにも使用されています。

N チャンネル - 拡張モード

MSL1 最大260°C のピークリフロー

動作温度 175 ° C

超低 RDS （ on ）

100 % アバランシェ試験済み

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