Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 800 V, 7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251

Infineon 800V CoolMOS P7 パージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに対応し、低電力SMPSアプリケーションに適合しています。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションを対象としています。この新製品ファミリは、典型的なフライバックアプリケーションにおいて、従来モデルや競合部品と比べて、最大 0.6 %の効率向上、2 → 8 °CのMOSFET温度低下を達成しています。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度設計を可能にします。全体的に、BOMコストの削減と組み立て手間の低減に貢献します。

Infineon 800V CoolMOS P7 パージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに対応し、低電力SMPSアプリケーションに適合しています。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションを対象としています。この新製品ファミリは、典型的なフライバックアプリケーションにおいて、従来モデルや競合部品と比べて、最大 0.6 %の効率向上、2 → 8 °CのMOSFET温度低下を達成しています。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度設計を可能にします。全体的に、BOMコストの削減と組み立て手間の低減に貢献します。

クラス最高のFOM R DS(on) * E oss; Qg、Ciss、Cossの低減

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