Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 800 V, 7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251, IPS80R750P7AKMA1

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220-7441
メーカー型番:
IPS80R750P7AKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-251

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

750mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

51W

動作温度 Max

150°C

長さ

6.7mm

規格 / 承認

No

高さ

6.22mm

2.35 mm

自動車規格

なし

Infineon 800V CoolMOS P7 パージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに対応し、低電力SMPSアプリケーションに適合しています。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションを対象としています。この新製品ファミリは、典型的なフライバックアプリケーションにおいて、従来モデルや競合部品と比べて、最大 0.6 %の効率向上、2 → 8 °CのMOSFET温度低下を達成しています。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度設計を可能にします。全体的に、BOMコストの削減と組み立て手間の低減に貢献します。

Infineon 800V CoolMOS P7 パージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに対応し、低電力SMPSアプリケーションに適合しています。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションを対象としています。この新製品ファミリは、典型的なフライバックアプリケーションにおいて、従来モデルや競合部品と比べて、最大 0.6 %の効率向上、2 → 8 °CのMOSFET温度低下を達成しています。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度設計を可能にします。全体的に、BOMコストの削減と組み立て手間の低減に貢献します。

クラス最高のFOM R DS(on) * E oss; Qg、Ciss、Cossの低減

DPAK でクラス最良のR DS(on) 280mΩ

クラス最良のV(GS)th 3V、最小のV(GS)th変動 ±0.5V

内蔵ツェナーダイオードによるクラス2(HBM)までのESD保護

クラス最高の品質と信頼性

最適化された品揃え

CoolMOS™ C3と比較して、0.1%~0.6%の効率向上と2℃~8℃のMOSFET温度低減を実現

より大きい電力密度の設計が可能になり、部品点数の削減と組み立てコストの低減を実現

運転しやすくデザインインが容易

ESD関連の故障を低減して生産歩留まりを向上

製造上の問題が減少し、市場不具合を低減

設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易

クラス最高のFOM R DS(on) * E oss; Qg、Ciss、Cossの低減

DPAK でクラス最良のR DS(on) 280mΩ

クラス最良のV(GS)th 3V、最小のV(GS)th変動 ±0.5V

内蔵ツェナーダイオードによるクラス2(HBM)までのESD保護

クラス最高の品質と信頼性

最適化された品揃え

CoolMOS™ C3と比較して、0.1%~0.6%の効率向上と2℃~8℃のMOSFET温度低減を実現

より大きい電力密度の設計が可能になり、部品点数の削減と組み立てコストの低減を実現

運転しやすくデザインインが容易

ESD関連の故障を低減して生産歩留まりを向上

製造上の問題が減少し、市場不具合を低減

設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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