Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 800 V, 7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251, IPS80R750P7AKMA1
- RS品番:
- 220-7441
- メーカー型番:
- IPS80R750P7AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-251 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 750mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 51W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 幅 | 2.35 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-251 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 750mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 51W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 6.22mm | ||
幅 2.35 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 800V CoolMOS P7 パージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに対応し、低電力SMPSアプリケーションに適合しています。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションを対象としています。この新製品ファミリは、典型的なフライバックアプリケーションにおいて、従来モデルや競合部品と比べて、最大 0.6 %の効率向上、2 → 8 °CのMOSFET温度低下を達成しています。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度設計を可能にします。全体的に、BOMコストの削減と組み立て手間の低減に貢献します。
Infineon 800V CoolMOS P7 パージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに対応し、低電力SMPSアプリケーションに適合しています。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションを対象としています。この新製品ファミリは、典型的なフライバックアプリケーションにおいて、従来モデルや競合部品と比べて、最大 0.6 %の効率向上、2 → 8 °CのMOSFET温度低下を達成しています。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度設計を可能にします。全体的に、BOMコストの削減と組み立て手間の低減に貢献します。
クラス最高のFOM R DS(on) * E oss; Qg、Ciss、Cossの低減
DPAK でクラス最良のR DS(on) 280mΩ
クラス最良のV(GS)th 3V、最小のV(GS)th変動 ±0.5V
内蔵ツェナーダイオードによるクラス2(HBM)までのESD保護
クラス最高の品質と信頼性
最適化された品揃え
CoolMOS™ C3と比較して、0.1%~0.6%の効率向上と2℃~8℃のMOSFET温度低減を実現
より大きい電力密度の設計が可能になり、部品点数の削減と組み立てコストの低減を実現
運転しやすくデザインインが容易
ESD関連の故障を低減して生産歩留まりを向上
製造上の問題が減少し、市場不具合を低減
設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易
クラス最高のFOM R DS(on) * E oss; Qg、Ciss、Cossの低減
DPAK でクラス最良のR DS(on) 280mΩ
クラス最良のV(GS)th 3V、最小のV(GS)th変動 ±0.5V
内蔵ツェナーダイオードによるクラス2(HBM)までのESD保護
クラス最高の品質と信頼性
最適化された品揃え
CoolMOS™ C3と比較して、0.1%~0.6%の効率向上と2℃~8℃のMOSFET温度低減を実現
より大きい電力密度の設計が可能になり、部品点数の削減と組み立てコストの低減を実現
運転しやすくデザインインが容易
ESD関連の故障を低減して生産歩留まりを向上
製造上の問題が減少し、市場不具合を低減
設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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