Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 109 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R099P6XKSA1
- RS品番:
- 220-7457
- メーカー型番:
- IPW60R099P6XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7457
- メーカー型番:
- IPW60R099P6XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 109A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | CoolMOS P6 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 99mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 70nC | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 16.13mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 21.1mm | |
| 幅 | 5.21 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 109A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ CoolMOS P6 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 99mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 70nC | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 16.13mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 21.1mm | ||
幅 5.21 mm | ||
自動車規格 なし | ||
CoolMOS P6スーパージャンクションMOSFETファミリは、設計が容易でありながら、より高いシステム効率を可能にするよう設計されています。CoolMOS P6 は、究極の性能を追求するテクノロジーと、使いやすさを重視するテクノロジーとのギャップを埋める製品です。
CoolMOS P6スーパージャンクションMOSFETファミリは、設計が容易でありながら、より高いシステム効率を可能にするよう設計されています。CoolMOS P6 は、究極の性能を追求するテクノロジーと、使いやすさを重視するテクノロジーとのギャップを埋める製品です。
ゲート電荷量(Qg)の低減
より高い電圧(Vth)
堅牢なボディ ダイオードを採用
内蔵ゲート抵抗(Rg)の最適化
50V/nsから改善された電圧変化率(dv/dt)
12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験を持つ
特に軽負荷条件下における効率向上
ターンオフ動作の高速化によるソフトスイッチングアプリケーションでの効率向上
ハード/ソフトスイッチングトポロジに好適
堅牢性と使い勝手、スイッチング挙動の制御しやすさのバランスを最適化
高い堅牢性と効率性
卓抜群の品質と信頼性
ゲート電荷量(Qg)の低減
より高い電圧(Vth)
堅牢なボディ ダイオードを採用
内蔵ゲート抵抗(Rg)の最適化
50V/nsから改善された電圧変化率(dv/dt)
12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験を持つ
特に軽負荷条件下における効率向上
ターンオフ動作の高速化によるソフトスイッチングアプリケーションでの効率向上
ハード/ソフトスイッチングトポロジに好適
堅牢性と使い勝手、スイッチング挙動の制御しやすさのバランスを最適化
高い堅牢性と効率性
卓抜群の品質と信頼性
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