Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 109 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R099P6XKSA1

RS品番:: 220-7457
メーカー型番:: IPW60R099P6XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 109 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R099P6XKSA1

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RS品番:: 220-7457
メーカー型番:: IPW60R099P6XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id	109A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	CoolMOS P6
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	99mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	278W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	70nC
	順方向電圧 Vf	0.9V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	16.13mm
	高さ	21.1mm
	幅	5.21 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id 109A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ CoolMOS P6
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 99mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 278W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 70nC
	順方向電圧 Vf 0.9V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 16.13mm
	高さ 21.1mm
	幅 5.21 mm
	自動車規格なし

CoolMOS P6スーパージャンクションMOSFETファミリは、設計が容易でありながら、より高いシステム効率を可能にするよう設計されています。CoolMOS P6 は、究極の性能を追求するテクノロジーと、使いやすさを重視するテクノロジーとのギャップを埋める製品です。

ゲート電荷量（Qg）の低減

より高い電圧（Vth）

堅牢なボディダイオードを採用

内蔵ゲート抵抗（Rg）の最適化

50V/nsから改善された電圧変化率（dv/dt）

12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験を持つ

特に軽負荷条件下における効率向上

ターンオフ動作の高速化によるソフトスイッチングアプリケーションでの効率向上

ハード/ソフトスイッチングトポロジに好適

堅牢性と使い勝手、スイッチング挙動の制御しやすさのバランスを最適化

高い堅牢性と効率性

卓抜群の品質と信頼性