Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 109 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R099P6XKSA1

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CoolMOS P6スーパージャンクションMOSFETファミリは、設計が容易でありながら、より高いシステム効率を可能にするよう設計されています。CoolMOS P6 は、究極の性能を追求するテクノロジーと、使いやすさを重視するテクノロジーとのギャップを埋める製品です。

ゲート電荷量（Qg）の低減

より高い電圧（Vth）

堅牢なボディダイオードを採用

内蔵ゲート抵抗（Rg）の最適化

50V/nsから改善された電圧変化率（dv/dt）

12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験を持つ

特に軽負荷条件下における効率向上

ターンオフ動作の高速化によるソフトスイッチングアプリケーションでの効率向上

ハード/ソフトスイッチングトポロジに好適

堅牢性と使い勝手、スイッチング挙動の制御しやすさのバランスを最適化

高い堅牢性と効率性

卓抜群の品質と信頼性

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