- RS品番:
- 219-6019
- メーカー型番:
- IPW60R024P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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¥2,344.00
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(税込)
個 | 単価 |
---|---|
1 - 6 | ¥2,344.00 |
7 - 13 | ¥2,275.00 |
14 - 18 | ¥1,840.00 |
19 - 24 | ¥1,586.00 |
25 + | ¥1,534.00 |
- RS品番:
- 219-6019
- メーカー型番:
- IPW60R024P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon 600V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。今後も、高効率化と使いやすさのバランスを取りながら、設計を進めています。CoolMOS™ 第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと本質的に低いゲート電荷(QG)により、高効率を実現しています。
600 V P7 は、優れた FOM により( on ) xEoss と RDS ( on ) xQG を実現
ゲート抵抗RGを内蔵
高耐久性ボディダイオード
スルーホールと表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
標準グレードと産業グレードの両方の部品を用意
内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度を低下
MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジに適しています
LLCトポロジでボディダイオードはハードコミュテーション時に優れた耐久性を発揮
様々な用途、出力電力に対応可能
民生や産業用途に適した製品を用意
ゲート抵抗RGを内蔵
高耐久性ボディダイオード
スルーホールと表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
標準グレードと産業グレードの両方の部品を用意
内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度を低下
MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジに適しています
LLCトポロジでボディダイオードはハードコミュテーション時に優れた耐久性を発揮
様々な用途、出力電力に対応可能
民生や産業用途に適した製品を用意
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 386 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
シリーズ | CoolMOS™ P7 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.024 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
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