Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 700 V, 145 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 220-7458
- メーカー型番:
- IPW65R065C7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 150 - 270 | ¥614.667 | ¥18,440 |
| 300 - 720 | ¥581.933 | ¥17,458 |
| 750 - 1470 | ¥565.433 | ¥16,963 |
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- RS品番:
- 220-7458
- メーカー型番:
- IPW65R065C7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 145A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | CoolMOS C7 | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 171W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 64nC | |
| 高さ | 21.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.21 mm | |
| 長さ | 16.13mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 145A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ CoolMOS C7 | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 171W | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 64nC | ||
高さ 21.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.21 mm | ||
長さ 16.13mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS(on)/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。
Infineon CoolMOS C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS(on)/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。
650 Vの電圧
革新的なクラス最高のR DS(on)/パッケージ
出力静電容量の蓄積エネルギー(Eoss)の低減
低いゲート電荷量Qg
パッケージの小型化、部品点数の削減による省スペース化
安全性向上、SMPSとソーラーインバータの両方のアプリケーションに適合
最小のパッケージ面積あたり導通損失
低スイッチング損失
軽負荷効率の向上
電力密度の向上
優れた Cool MOS ™品質
650 Vの電圧
革新的なクラス最高のR DS(on)/パッケージ
出力静電容量の蓄積エネルギー(Eoss)の低減
低いゲート電荷量Qg
パッケージの小型化、部品点数の削減による省スペース化
安全性向上、SMPSとソーラーインバータの両方のアプリケーションに適合
最小のパッケージ面積あたり導通損失
低スイッチング損失
軽負荷効率の向上
電力密度の向上
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