Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵700 V 145 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 220-7390
- メーカー型番:
- IPB65R065C7ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
850 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は1000 個
￥763.974
(税抜)
￥840.371
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥763.974 | ￥763,974.00 |
| 2000 - 9000 | ￥745.405 | ￥745,405.00 |
| 10000 - 14000 | ￥726.837 | ￥726,837.00 |
| 15000 - 19000 | ￥708.268 | ￥708,268.00 |
| 20000 + | ￥689.699 | ￥689,699.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 220-7390
- メーカー型番:
- IPB65R065C7ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon CoolMOS C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。
650 V 電圧
画期的なクラス最高の R DS （ on ） / パッケージ
出力容量損失エネルギEOSSの低減
ゲート電荷量 Qg の低減
小型パッケージ化、部品点数削減による省スペース化
画期的なクラス最高の R DS （ on ） / パッケージ
出力容量損失エネルギEOSSの低減
ゲート電荷量 Qg の低減
小型パッケージ化、部品点数削減による省スペース化
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 145 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 700 V |
| シリーズ | CoolMOS™ |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.065 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
関連ページ
- Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵700 V 145 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 145 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 7 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 100 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 61 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET 12 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン