Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 40 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージアイソメトリック
- RS品番:
- 220-7473
- メーカー型番:
- IRF6613TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | ￥146.307 | ￥702,274 |
| 9600 - 43200 | ￥143.386 | ￥688,253 |
| 48000 - 67200 | ￥140.512 | ￥674,458 |
| 72000 - 91200 | ￥137.705 | ￥660,984 |
| 96000 + | ￥134.946 | ￥647,741 |
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- RS品番:
- 220-7473
- メーカー型番:
- IRF6613TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | アイソメトリック | |
| シリーズ | StrongIRFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 42nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 長さ | 6.35mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.68mm | |
| 幅 | 5.05 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 アイソメトリック | ||
シリーズ StrongIRFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
長さ 6.35mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.68mm | ||
幅 5.05 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon Strong IRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)と高電流に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
幅広い販売パートナーから入手できるように最適化
JEDEC 規格に準拠した製品認定
高定格電流
デュアルサイド冷却機能
パッケージ高さ0.7mmの低背型
低寄生（1-2NH）インダクタンスパッケージ
販売パートナーから幅広く入手可能
業界標準の認定レベル
高電流容量
最適な熱性能
コンパクトなフォームファクタ
高効率
環境にやさしい